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　　开首：英诺赛科　

　　英诺赛科是一家戮力于于创建基于高性能、低资本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源责罚决策的群众动力生态系统的企业。该公司今天秘书，好意思国海外交易委员会（U.S． International Trade Commission， ITC）2024年11月7日发布的337拜访终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产物入口到好意思国的正当性不受英诺赛科和宜普电源调遣公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。

　　旧年5月，EPC在ITC对英诺赛科拿起专利侵权诉讼拜访，声称英诺赛科骚扰了EPC的US’508号专利和US’294号专利。本年7月，ITC行政法官作出初步裁定，认定英诺赛科莫得骚扰EPC的US‘508号专利的权益条款1（该专利中惟一被EPC用来主张权益的权益条款），而今天，ITC的最新终裁决定再次阐述英诺赛科莫得骚扰该US’508号专利，这对英诺赛科来说是一个雄壮的告捷。

　　有关词，终裁决定保管了行政法官初步裁决中认定的骚扰了US‘294号专利权益条款2和3的部分情形。因此，ITC将决定发布有限扼杀令，不容英诺赛科将某些被指控的芯片手脚平直产物出口到好意思国。英诺赛科不答应这一裁决，并将对此进一步提议上诉。这至少是因为US’294号专利自身的权益基础是不彊壮的，被无效的可能性很大。事实上，好意思国专利商标局（“USPTO”）以四种不同的事理对US‘294号专利的统共权益条款进行了两边复审（“IPR”），并答应英诺赛科的无效论点。US’294号专利的IPR无效审查决定将于2025年3月发布。

　　英诺赛科还指出，凭证好意思规则律规则，有限扼杀令并不不容英诺赛科的客户将使用被指控芯片的结尾产物入口到好意思国阛阓。此外，由于终裁决定澄清了“赔偿GaN层”这一权益条款术语的含义，而这恰是两边围绕US‘294号专利争议的中枢，因此也为英诺赛科提供了明确的躲避筹算请示，通过幸免使用“赔偿GaN层”这一工夫特征，就不错完了对US’294号专利的躲避。当今英诺赛科依然完成了躲避筹算决策，并将很快发布躲避筹算后的新产物。

　　因此，EPC诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。此外，英诺赛科将链接通过法院上诉要津和好意思国专利商标局的无效要津来激动责罚与EPC的纠纷，并有信心赢得最终的齐全告捷。

　　对于英诺赛科

　　英诺赛科建树于 2015 年，当今依然成为群众最大的 氮化镓半导体器件IDM（全产业链口头）制造商，集成并简化了包括筹算、制造、封装、电路哄骗和销售在内的统共经过，合手续引颈氮化镓工夫前沿。咱们拓荒出的产物粉饰从低压30V到高压700V的全电压等第领域。英诺赛科领有群众最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造能力，这大致权贵镌汰咱们的出产资本。

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攀扯裁剪：张倩